特許情報

シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置

管理番号 2012-021
技術の名称 シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置
キーワード 結晶異方性,ドライエッチング,アルカリ性,シリコン,Si
番号 特願2010-230742 HP掲載日 2013-03-12

技術の概要

シリコンを、イオンとラジカルの作用によりエッチングを行う方法である。エッチングを行うシリコンは、反応室内の圧力が高いため、イオンとラジカルの物理的移動の状況に相違が生じ、イオンの作用による物理的エッチングの進行が調節される。また、シリコンの加工表面で、炭素供給源から供給された炭素とイオン、炭素とラジカルとが反応し、ラジカルの作用による化学的エッチングの進行が調節される。そのため、物理的エッチングの量、および、化学的エッチングの量が制御されることにより、シリコンエッチングにおける、結晶方位毎に異なる必要エッチングエネルギーの領域で加工が進行する状況が作られることにより、ドライエッチングで、シリコンを結晶異方性エッチングすることができる。

活用のセールスポイント

・ 結晶異方性エッチングをウエットエッチングのみで実施
・ 危険なエチッチング用の薬液(アルカリ性)の使用を非常に少なくできる
・ 複雑な3次元マイクロ構造を製作できる
・ 解像度、洗浄性、加工制御性、自動化容易性、電子回路との適合性が向上

説明図等

想定される応用分野・製品、市場規模

・個別細胞融合セルというMEMSデバイス
・マイクロマシンの技術(プリンタ、プロジェクタの吐出機構、プローブ顕微鏡の針先 等)